Силовые приборы
OptiMOS™ 3 200V и 250V устанавливают новый уровень качества
см. ниже
OptiMOS™ 3 200V и 250V — это пополнение семейства низковольтных транзисторов OptiMOS™ приборами с высокими значениями пробивных напряжений. Они производятся по инновационной технологии OptiMOS™ 3 и отличаются самым низким сопротивлением в открытом состоянии и превосходными коммутационными характеристиками. Значение RDS(on), равное 12 мОм для транзистора OptiMOS™ 3 200V в корпусе TO-220 — это новый эталон. Ближайший конкурент имеет сопротивление на 80% больше.
Имея оптимизированные значения Qg и Qgd на 40% ниже, чем у конкурентов, новые транзисторы OptiMOS™ позволяют значительно снизить потери на переключение. OptiMOS™ 3 200V и 250V имеют оптимальную скорость переключения и минимальные потери на проводимость в условиях любых нагрузок: больших, средних и малых.
Превосходные электрические параметры обеспечивают транзисторам OptiMOS™ 3 200V и 250V широкое применение в промышленных и бытовых устройствах. От сильноточных систем управления двигателями и DC/DC-преобразователей с быстрым переключением до усилителей звуковой частоты класса D и разрядных ламп высокой интенсивности в проекторах, эти приборы демонстрируют высочайший уровень эффективности при минимальных габаритах.
| Особенности | Применение |
|
|

Дополнительно
Подробнее о продукции
Скачать
- OptiMOS™3 Product Portfolio (PDF)
- Application Notes: Recommendations for Assembly of Infineon TO Packages (PDF)
- Application Notes: Recommendations for Board Assembly of Infineon CanPAK™ (PDF)
- Application Notes: Optimum MOSFET Selection for Synchronous Rectification (PDF)
- Application Notes: Improving Efficiency of Synchronous Rectification by Analysis of the MOSFET Power Loss Mechanism (PDF)
- Application Notes: Recommendations for Printed Circuit Board Assembly of Infineon PG-T(S)DSON Packages (PDF)
Номера для заказа
- За более подробной информацией обращайтесь на сайт www.infineon.com/optimos
















