功率半导体
OptiMOS™ 3 75V——针对同步整流而设计
OptiMOS™ 3 75V具备最高的能效和最低的关断电压，超越了同步整流要求
全新OptiMOS™ 3 75V系列具备最低的导通电阻和出色的开关性能。小型SMD封装的极低导通电阻和50A（直流）电流性能可节省电路板空间，确保理想的开关性能和最高的能效水平。
IPP 023NE7N3 G具备全球最低的2.1 mΩ（典型值）导通电阻和0.5KW的热阻，从而为75V低阻抗MOSFET树立了行业新标杆。BSC 092NE7NS3 G采用SuperSO8封装，具备3.7 mΩ （典型值） （4.2 mΩ （最大））的导通电阻，因此有助于开发出新的高效解决方案。
OptiMOS™ 3 75V出类拔萃的电气性能使其成为广泛工业应用和消费类电子产品应用的理想之选。尽管英飞凌OptiMOS™ 3 75V低压产品系列是针对同步整流而优化的，但其一流的能效水平和最低的空间要求还是能够为大电流电机控制应用、快速转换直流/直流转换器或D类音频放大器等其他应用带来很大好处。
| 主要特性 | 应用 |
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Product Details
Downloads
- OptiMOS™3 Product Portfolio (PDF)
- OptiMOS™3 Product Brief (PDF)
- Application Notes: Recommendations for Assembly of Infineon TO Packages (PDF)
- Application Notes: Recommendations for Board Assembly of Infineon CanPAK™ (PDF)
- Application Notes: Optimum MOSFET Selection for Synchronous Rectification (PDF)
- Application Notes: Improving Efficiency of Synchronous Rectification by Analysis of the MOSFET Power Loss Mechanism (PDF)
- Application Notes: Recommendations for Printed Circuit Board Assembly of Infineon PG-T(S)DSON Packages (PDF)
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- 如欲了解更多信息，敬请登录：www.infineon.com/optimos。
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