Semi- conducteurs de puissance

OptiMOS™ P3 – technologie à canal P -30 V sûre et puissante

Portefeuille des produits OptiMOS™ P3

Infineon présente la nouvelle génération d’OptiMOS™ P3 -30 V en boîtiers de puissance et à petits signaux. Ces produits de premier ordre font figure de référence parmi les MOSFET à faible valeur ohmique dans la classe à canal P -30 V. La protection ESD permet un fonctionnement plus sûr du MOSFET à la fois lors de l’assemblage et sur le terrain. Dans les applications portables, le faible RDS(on) permet une plus faible dissipation de puissance qui augmente la longévité de la batterie. Tous les produits en boîtiers à petits signaux sont qualifiés Q101 et peuvent donc être utilisés dans les applications automobiles.
Grâce à un faible RDS(on), une protection ESD et la certification automobile, ces dispositifs sont parfaitement adaptés à un large éventail d'applications.

RDS(on) ultra faible Courant nominal élevé (jusqu’à 100 A) Protection ESD Boîtiers compacts Faible dissipation de puissance Qualification AEC Q101

Gestion de la batterie Commutateurs de charge Commutateurs côté haute tension Protection contre les inversions de polarité Dispositifs de décalage de niveau