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功率半导体

OptiMOS™ P3 — 安全可靠、功能强大的-30V P沟道技术

Image OptiMOS™ P3 产品组合 Image

英飞凌推出采用大功率和小信号封装的新一代-30V OptiMOS™ P3 MOSFET产品。这些出类拔萃的产品为P沟道-30V级别的低电阻MOSFET树立了新标杆。ESD防护功能可提高MOSFET装配与现场应用的安全性。对于便携式应用而言,较低的导通电阻可降低功耗,因此可延长电池的使用寿命。所有采用小信号封装的产品均符合Q101标准,因此适用于汽车应用。

较低的导通电阻、ESD防护和符合汽车行业相关标准使这些器件成为多种应用的理想之选。

主要特性 应用
  • 超低导通电阻
  • 高额定电流(高达100 A)
  • ESD防护
  • 小型封装
  • 低功耗
  • 符合AEC Q101标准
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 高边开关
  • 反极性保护
  • 电平移位器
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More Information

Ordering Numbers

  • BSC030P03NS3 G: SP000442470
  • BSC063P03NS3E G: SP000472984
  • BSC084P03NS3 G: SP000473020
  • BSC084P03NS3E G: SP000473012
  • BSD314SPE L6327: SP000473008
  • BSL308PE L6327: SP000472978
  • BSL314PE L6327: SP000473004
  • BSS308PE L6327: SP000442474
  • BSS314PE L6327: SP000473000
  • IPD042P03L3 G: SP000473922
  • IPD068P03L3 G: SP000472988