전력반도체
TO-220 FullPAK로 제공되는 2G thinQ!™ SiC 쇼트키 다이드
표준 인피니언 TO220, 인피니언 TO220 FullPAK, 경쟁업체의 FullPAK 제품들에 의해 제공되는 온도 저항 특성의 비교
SiC(Silicon Carbide)는 전력 전자 애플리케이션을 위한 이상적인 반도체 재료로서 Si 및 GaN 전력 디바이스보다 탁월한 성능을 확실히 제공한다. 특히 600V 이상의 범위에서 이것은 벤치마크 스위칭 동작(사실상 손실이 없음)과 탁월한 도전 성능을 제공한다. 이러한 특성은 SMPS 솔루션에서 최상의 효율을 제공하면서 복잡성을 줄여준다.
뿐만 아니라, 이전까지는 이질적이면서도 비용이 높았지만 SiC 디바이스의 웨이퍼 직경이 증가함에 따라 한층 더 수용 가능한 수준으로 낮아지고 있다.
우리의 신형 FullPAK 솔루션은 인피니언의 2세대(2G) SiC 쇼트키 다이오드의 높은 전기적 성능과 표준 TO-220 솔루션 대비 온도 동작에 대한 어떠한 영향 없이 완전 절연 패키지의 장점을 결합하고 있다. 특허 기술인 확산 솔더링(diffusion soldering) 기법은 “칩-투-리드 프레임”의 온도 저항성을 확실히 낮춰주어 인피니언의 FullPAK 제품들을 동일 등급에 있어서 최고의 성능을 제공할 수 있도록 지원한다.
뿐만 아니라, 인피니언은 최대 6A의 전류 등급을 제공하는 이 패키지를 통해 업계에서 가장 광범위한 포트폴리오를 제공한다. 그래프는 2A, 3A, 그리고 다른 전류 등급을 위한 다소 높은 값들을 가지는 인피니언 제품들에 대한 동일한 접합-케이스 온도 저항성을 나타난 것이다. 이러한 작은 차이는 표준 TO-220 패키지를 위한 절연 호일을 통해 최종 설계 어셈블리에서 일반적으로 보상된다. 우리의 특허기술인 확산 솔더링 기법은 이러한 2G thinQ!™ 제품들이 (최대 3A까지의 제품만을 제공하는) 경쟁 제품들에 대해 확실한 우위를 유지할 수 있도록 해준다.
| 주요 특징 | 적용 |
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전력반도체
3G thinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드를 통해 향상된 효율 제공 가능
SiC(Silicon Carbide)는 전력 전자 애플리케이션을 위한 이상적인 반도체 재료로서 Si 및 GaN 전력 디바이스보다 분명히 우수하다. 특히 600V 이상의 범위에서 (실제 손실이 낮은) 벤치마크 스위칭 동작과 탁월한 도전 성능을 제공한다. ...









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