Automotive Power

Weltweit kleinster R_DS(on) für Automotive-Anwendungen mit OptiMOS™-T2 30 V n-Kanal-MOSFETs

Parallelbetrieb von Leistungs-MOSFETs

Der IPB 180N03S4L-H0 ist ein n-Kanal-Einzel-MOSFET mit einem äußerst niedrigen R_DS(on) von 0,9 mΩ, der in einem D²PAK-7-Standardgehäuse untergebracht und für den Automotive-Bereich qualifiziert ist.  

OptiMOS™-T2-Bausteine sind für das Schwalllöten mit 260° C ausgelegt und aufgrund ihrer bleifreien Beschichtung RoHS-konform. Dank seiner fortschrittlichen Trench-Technologie bietet Infineon Produkte mit geringer Gate-Ladung und Kapazität sowie mit niedrigen Schaltverlusten. Dadurch erreicht der elektrische Wirkungsgrad von Motoren neue Bestwerte. Gleichzeitig werden die EMV-Emissionen auf ein Minimum reduziert.  

Der IPB 180N03S4L-H0 eignet sich für den Einsatz in Halbbrücken, H-Brücken und 3-Phasen-Motorsteuerungen. Außerdem ermöglicht er die Entwicklung von Anwendungen mit sehr hohen Strömen (über 500 A), bei denen der Parallelbetrieb mehrerer MOSFETs erforderlich ist. Der IPB 180N03S4L-H0 liefert einen Nennstrom von 180 A, sodass weniger parallel arbeitende MOSFETs eingesetzt werden müssen. Dies trägt zur Optimierung der Stromaufteilung und der Kosten bei.  

In Automobilen werden immer mehr Elektromotoren über PWM gesteuert, um den Wirkungsgrad zu erhöhen. Daher verfügen die OptiMOS™-T2 30 V-Produkte ebenfalls über einen Schutz gegen Verpolung durch falschen Anschluss.  

Qualität und ein robustes Gehäuse garantieren die Leistung, die Sie von Infineon erwarten.  

Extrem niedriger RDS(on) von 0,9 mΩ im D²PAK-7-Gehäuse Nennstrom: bis 180 A Optimierte Gate-Ladung ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen Ausgezeichneter Gütefaktor für Schaltanwendungen

Batteriemanagement Energierückgewinnung Verpolungsschutz mit hoher Strombelastbarkeit Motorsteuerung mit hohen Strömen Platzbedarf von Standardgehäusen zur leichten Aufrüstung von Schaltungen Robustes Gehäuse, RoHS-konform