Leistungshalbleiter

thinQ!™-Silizimukarbid-Schottkydioden der 2. Generation jetzt im TO-220 FullPAK

Vergleich des Wärmewiderstands zwischen einem Infineon-Produkt im normalen TO220, einem Infineon-Produkt im TO220 FullPAK und einem FullPAK-Konkurrenzprodukt

Siliziumkarbid (SiC) ist ein ideales Halbleitermaterial für Anwendungen in der Leistungselektronik, das Leistungselektronik-Bausteinen auf Si- und GaN-Basis weit überlegen ist. Insbesondere bei Spannungen über 600V bietet der Werkstoff ein hervorragendes (praktisch verlustfreies) Schaltverhalten und eine ausgezeichnete Leitfähigkeit. Bei Lösungen für Schaltnetzteile ermöglichen diese Eigenschaften einen hervorragenden Wirkungsgrad und einen einfacheren Schaltungsaufbau.

Da die Wafer-Durchmesser für SiC-Bausteine zunehmen, wird diese Technologie, die früher als „exotisch" galt und kostspielig war, immer erschwinglicher.

Unsere neue FullPAK-Lösung vereint die hohe elektrische Leistung der SiC-Schottkydioden der 2. Generation von Infineon mit den Vorteilen eines vollständig isolierten Gehäuses, ohne dass es beim thermischen Verhalten im Vergleich zu herkömmlichen TO-220-Lösungen zu einer nennenswerten Beeinträchtigung kommt. Das patentierte Diffusionslötverfahren ermöglicht eine deutliche Verringerung des Chip-Leadframe-Wärmewiderstands. Dadurch erreichen die FullPAK-Produkte von Infineon bei der Leistung Spitzenwerte in ihrer Klasse.

Darüber hinaus bietet Infineon das umfangreichste Angebot für dieses Gehäuse mit Stromstärken bis 6A. Die Grafik zeigt bei Infineon-Produkten für 2A und 3A denselben Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse und bei höheren Stromwerten geringfügig höhere Widerstandswerte. Dieser kleine Unterschied wird beim herkömmlichen TO-220-Gehäuse im Allgemeinen bei der endgültigen Montage durch eine Isolierfolie ausgeglichen. Unser patentiertes Diffusionslötverfahren sorgt bei diesen thinQ!™-Produkten der 2. Generation für einen klaren Vorteil gegenüber unseren Wettbewerbern (die nur Produkte bis 3A anbieten).

Das thermische Verhalten ist dank des Diffusionslötverfahrens von Infineon mit dem von nicht isolierten Produkten vergleichbar. Bestes thermisches Betriebsverhalten bei FullPAK-Lösungen Der Preis entspricht etwa dem von nicht isolierten Gehäusen. Montage ohne Isolierhülse und -folie

Schaltnetzteile, z. B. CCM-Leistungsfaktorkorrekturstufen LCDs, PDPs Beleuchtungsanlagen USV-Anlagen, Solaranlagen Motorumrichter